各位好，因?yàn)檎n題需要，小弟想在BUCK拓?fù)涞幕A(chǔ)上，將快恢復(fù)二極管換成斬波開關(guān)，在buck模式下，只驅(qū)動(dòng)原來的斬波開關(guān)，代替二極管的開關(guān)保持截止。斬波開關(guān)用的是ST公司的高壓MOSFET,型號為STW45N65M5。

      母線電容和輸出電容分別為330uF和660uF，且盡量靠近功率半橋安置，輸出濾波電感用的是市面上賣得做好的電感，把三個(gè)100uH的串聯(lián)起來使用，所需要的連線盡量采用了雙絞線，以消除不必要的雜散參數(shù)，  

     (a)buck功率電路的原理圖：

     半橋部分，上、下橋臂分別有兩個(gè)并聯(lián)的MOSFET組成，下圖為MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路，采用的是安森美的驅(qū)動(dòng)芯片，原理是自舉驅(qū)動(dòng)。

    (b)對應(yīng)的PCB布局：

     但，在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，即使沒有給下管發(fā)驅(qū)動(dòng)信號，下管的柵極電壓也會產(chǎn)生震蕩波形，超出了閾值電壓，導(dǎo)致電感電流波形完全是震蕩的。

  （ 說明：因?yàn)橄氍F(xiàn)在低壓輸入下調(diào)好閉環(huán)再做高壓輸入的調(diào)試，所以實(shí)驗(yàn)中BUCK的輸入電源用24V開關(guān)電源來代替，負(fù)載用的1ohm的制動(dòng)電阻。）

（1）首先單獨(dú)測了上橋臂開關(guān)的Vgs（CH1）和Vds（CH2）

很明顯MOSFET在開通時(shí)柵極電壓出現(xiàn)了嚴(yán)重的震蕩

（2）接下來測了下橋臂的Vgs,注意此下橋臂是沒有驅(qū)動(dòng)信號的，但功率電路依然能夠耦合過一個(gè)震蕩來，如下圖所示，根據(jù)測量結(jié)果顯示，這一震蕩最大值達(dá)到了6.8V,

     所以得到結(jié)論是，下橋臂由于存在耦合過來的震蕩電壓，這一震蕩電壓導(dǎo)致下管也反復(fù)開關(guān)。

     為此從兩方面考慮解決這一問題，

     第一，弄清楚震蕩產(chǎn)生的原因，從根源上削弱震蕩。

     第二，給下管截止時(shí)給下管的柵極加一個(gè)負(fù)壓，削弱震蕩電壓對于MOSFET的影響。

     除此之外，對于MOSFET的振鈴，論壇里還有人提到用RCD緩沖電路，不過我對比了 一下振鈴時(shí)的柵源電壓波形，感覺跟我采到的波形差別還是挺大的，所以不太確定加RCD到底有沒有用。

    在此想問下同行們，有沒有得到過類似的曲線，造成這一問題的原因大概是哪一塊，萬分感謝！